送终肃图16.Au/CH3NH3PbI3−xClx/FTO存储器件的结构与性能(a)MAPbX3的化学结构。

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尽管微米尺寸的多晶hBN已经实现并被用于基础研究，流程但晶片级单晶hBN(SC-hBN)薄膜还不能用于实际应用。这一技术首先需要在晶圆上快速生长较厚的二维材料，送终肃之后收集这些材料中单堆叠多层，最终通过多次分离（splitting）的过程将其制备成单层。(Science2017,355,267-271.)图17.纳米线合成过程形貌3.二维材料二维材料，套极是指电子仅可在两个维度的非纳米尺度（1-100nm）上自由运动（平面运动）的材料，套极如纳米薄膜、超晶格、量子阱。

近十多年，为严越来越多的科学家致力于纳米材料的相关研究中并在制备、性质和应用方面都取得了丰硕的研究成果。在银立方体和金纳米笼工作之后，流程夏幼南课题组在09年利用Pd种子生长法制备出了PdPtnanodendrites结构，流程其具有的高活性的ORR可能来源于特殊的branch结构（高指数晶面）。

该方法制备得到的石墨烯材料作为场效应晶体管中的通道材料可以实现电子迁移率大于1000m2/V/s，送终肃并且作为催化剂载体材料表现出优异的析氧催化性能。

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